Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
200W | 100V | 100V | 5V | 30A | 150°C | 10MHz | 500 | 3000T |
Производитель: SANYO
Сфера применения: Darlington, Power, Switching
Описание ( смотреть )