Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
35W | 1500V | 700V | 5V | 8A | 150°C | - | 80 | 6/26 |
Производитель: PHILIPS
Сфера применения: Power, TV Deflection
Описание ( смотреть )