2SC5387

Корпус: TO-3P(HIS) 

Полярность транзистора: NPN 

Конфигурация: Single 

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V 

Напряжение коллектор-база (VCBO): 1.5 kV 

Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V 

Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A 

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 1.7 MHz 

Максимальная рабочая температура: + 150 C 

Серия: 2SC5387 

Высота: 16.5 mm  

Длина: 15.5 mm  

Ширина: 5.5 mm  

Торговая марка: Toshiba  

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 15 at 1 A at 5 V, 4.3 at 8 A at 5 V  

Pd - рассеивание мощности: 50 W