Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 700 mV
Максимальный постоянный ток коллектора: - 1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 100 MHz
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Серия: BC807
Высота: 1 mm
Длина: 3.05 mm
Ширина: 1.4 mm
Торговая марка: Diodes Incorporated
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 170 at - 300 mA, - 1 V
Pd - рассеивание мощности: 310 mW
Описание ( смотреть )