ООО ЭЛТОМ
+ 7 (3842)288-977, 287-737
|
Переход на мобильную версию сайта г. Кемерово пр.Кузнецкий дом 32 |
Корзина
0 товаров, 0.00 руб. |
Описание товара
IRGP50B60PD1PBF — описание:Транзисторы IGBT Корпус: TO-247AD-3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A
Pd - рассеивание мощности: 390 W
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Высота: 20.7 mm (Max)
Длина: 15.87 mm (Max)
Ширина: 5.31 mm (Max)
Торговая марка: Infineon Technologies
Тип : IGBT Transistors
Описание ( смотреть )
Наличие:
Покупка: |