Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
100W | 1100V | 800V | 7V | 6A | 150°C | 15MHz | 35 | 10/50 |
Описание ( смотреть )