Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
Корпус транзистора: TO66